“日拱一卒，积跬步，至千里”
做计算难免会和实验有合作，无论是自己的契机还是导师的安排。实验上表征比较方便的除了之前说过的拉曼和红外谱（计算链接这里就不列出来了，需要的请后台查找），还有光吸收谱。今天简单说说光学性质计算，给这部分开个头。
光学计算的的基础是能带计算，所以不同精度的泛函就可以得到与之对应的吸收谱。因为是光学计算，光在能带里的跃迁过程包含了导带和价带的很多能带，所以准确计算光学性质一般能带数要是静态计算的两到三倍。k点也要足够的密。所以做光学方面的计算是很需要计算资源的。
再加上GW计算和BSE计算，那计算量就更大了。
为了简化计算，考虑到在一些体系中泛函对带隙校正比较明显，而对能带形状校正微小，所以会采用剪刀算符。在PBE，LDA泛函光学计算中增加一个相应的值来校正带隙，从而得到与实验符合较好的谱线。
计算半导体绝缘体可以是校正带隙，但是计算金属材料的吸收谱那就要在考虑带间跃迁的基础上加入带内跃迁的成分。
另外，计算上一般不是直接得到吸收谱，而是先计算频率依赖的介电函数，然后通过变换关系得到最终的吸收谱。vaspkit中有相应的后处理程序。但是要知道vaspkit假设是真空中的光打入到材料的吸收，反射和折射等。如果要计算多层不同介电函数的结构要用转换矩阵方法。当然多层结构相当于超材料，就不是用之一性原理来计算了，这种复杂的情况一般会采用更宏观的计算方法。
文题说了要填坑，那么今天提到的这些以后尽量填。水平有限，如果错误或描述，表述，理解不当的地方欢迎大家指正。
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